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4h-sic晶体基片

发布时间： 2024-07-10 00:37:48 浏览次数：640

产品介绍：

4h-sic晶体基片是碳化硅（sic）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3c、4h和6h等，但4h-sic尤其受到人们的关注。"4h"代表六角晶型，数字“4”表示c-si双原子层沿c方向的堆垛周期数。

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产品名称	4h-sic晶体基片
技术参数	晶体结构: 六方晶系
	晶格常数：a=3.08å c=10.05å
	熔点2827℃
	硬度(mohs)：≈9.2
	方向：生长轴或偏(0001) 3.5°
	密度（g/cm3）3.16
	带隙：2.93ev (间接)
	导电类型：n导电
	电阻率:0.1-0.01 ohm-cm
	介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
	导电率：5w / cm·k
	生长方式：mocvd(有机金属化学气相沉积）
产品规格	常规晶向：
	常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
	抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“si”面抛光，可按要求做“c”面抛光
	抛光面粗糙度：< 15a注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理

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